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IHW40N135R3

丝印:H40R1353;Package:PG-TO247-3;Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IHW40N135R3FKSA1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1350V 80A 429W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IIM-42352

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详细参数

  • 型号:

    IHW40N135R3

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IHW40N135R3供应商 更新时间2025-7-30 17:06:00