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H4L018N075SC

型号:NVH4L018N075SC1;Package:TO247-4L;MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 750 V, 13.5 m, 140 A

Features • Typ. RDS(on) = 13.5 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 18 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 262 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 365 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable Typical Applications • Automotive On Board C

文件:353.48 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多H4L018N075SC供应商 更新时间2025-8-7 16:12:00