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NVH4L045N065SC1

丝印:H4L045065SC1;Package:TO247-4L;MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 33 m, 55 A

Features • Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

文件:366.09 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多H4L045065SC1供应商 更新时间2025-9-17 16:12:00