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NVH4L045N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NVH4L045N065SC1
厂商型号

NVH4L045N065SC1

功能描述

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 33 m, 55 A

丝印标识

H4L045065SC1

封装外壳

TO247-4L

文件大小

366.09 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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NVH4L045N065SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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标准封装
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