| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：H30KR5；Package：PG-TO247-3-STD-NN2.5；Reverse-Conducting IGBT with monolithic body diode Features •VCE=1100V •IC=30A •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •VerylowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperat | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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