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IHW30N110R5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IHW30N110R5 |
| 参数属性 | IHW30N110R5 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH |
| 功能描述 | Reverse-Conducting IGBT with monolithic body diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO247-3-STD-NN2.5 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.50474 Mbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 18:35:00 |
| 人工找货 | IHW30N110R5价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IHW30N110R5规格书详情
IHW30N110R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IHW30N110R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
• VCE = 1100 V
• IC = 30 A
• Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only
• Very tight parameter distribution
• High ruggedness, temperature stable behavior
• Very low VCEsat
• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
• Low EMI
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/
产品属性
更多- 产品编号：
IHW30N110R5XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，30A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/350ns
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3
- 描述：
IGBT TRENCH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
1715+ |
SOP |
251156 |
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INFINEON |
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Infineon Technologies |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
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