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IHW20N120R2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IHW20N120R2

参数属性

IHW20N120R2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 40A 330W TO247-3

功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 1200V 40A 330W TO247-3

丝印标识

H20R1202

封装外壳

PG-TO-247-3-21 / TO-247-3

文件大小

375.89 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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更新时间

2025-10-4 9:39:00

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IHW20N120R2规格书详情

IHW20N120R2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IHW20N120R2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features:

• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

• Body diode clamps negative voltages

• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

• NPT technology offers easy parallel switching capability due to

positive temperature coefficient in VCE(sat)

• Low EMI

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

• Inductive Cooking

• Soft Switching Applications

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IHW20N120R2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT,沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    1.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/359ns

  • 测试条件:

    600V,20A,15 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 330W TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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