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IHW20N120R5分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IHW20N120R5 |
参数属性 | IHW20N120R5 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 40A TO247-3 |
功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
文件大小 |
2.02239 Mbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-24 19:20:00 |
IHW20N120R5规格书详情
IHW20N120R5属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IHW20N120R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IHW20N120R5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.75V @ 15V,20A
- 开关能量:
750µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/260ns
- 测试条件:
600V,20A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
IGBT 1200V 40A TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon/英飞凌 |
2021/2022+ |
NA |
7000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
50000 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
8800 |
公司只作原装正品 |
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INFINEON/英飞凌 |
2018+ |
TO-247 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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Infineon/Infineon Technologies |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA/ |
35 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
- |
6680 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-247 |
928 |
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INFINEON/英飞凌 |
19+ |
TO-247 |
1920 |
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