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IHW20N120R3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IHW20N120R3 |
| 参数属性 | IHW20N120R3 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 40A 310W TO247-3 |
| 功能描述 | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO247-3 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
800.28 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-4 11:16:00 |
| 人工找货 | IHW20N120R3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IHW20N120R3规格书详情
IHW20N120R3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IHW20N120R3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
1. Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only
2. Low EMI
3. Qualified according to JESD-022 for target applications
4. Pb-free lead plating; RoHS compliant
产品属性
更多- 产品编号：
IHW20N120R3FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，20A
- 开关能量：
950µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/387ns
- 测试条件：
600V，20A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOP8 |
9600 |
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询价 | ||
INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
23+ |
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英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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TO247-3 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO247 |
50000 |
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询价 |
