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IHW20N120R3	文件：800.28 Kbytes Page：12 Pages	丝印：H20R1203；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode 1. Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only 2. Low EMI 3. Qualified according to JESD-022 for target applications 4. Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：800.28 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IHW20N120R3	文件：1.96895 Mbytes Page：16 Pages	丝印：H20R1203；Package：PG-TO247-3；Resonant Switching Series Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswitchingcapabilityduetopositive temperaturecoefficientinV 文件：1.96895 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
H20R1203
功能描述：
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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