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H11F1M

6 引脚 DIP 双向模拟 FET 输出光耦合器

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。 • 作为一个远程可变电阻:\n• ≤ 100Ω至≥ 300MΩ\n• ≤ 15pF分流电容\n• ≥ 100GΩ I/O隔离电阻作为模拟开关:\n• 极低失调电压\n• 60 Vpk-pk信号能力\n• 无电荷注入或闩锁\n• UL认证(文件编号E90700);

ONSEMI

安森美半导体

H11F3M

6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。 • 作为一个远程可变电阻:\n• ≤ 100Ω至≥ 300MΩ\n• ≤ 15pF分流电容\n• ≥ 100GΩ I/O隔离电阻作为模拟开关:\n• 极低失调电压\n• 60 Vpk-pk信号能力\n• 无电荷注入或闩锁\n• UL认证(文件编号E90700);

ONSEMI

安森美半导体

H11F1300

Package:6-DIP(0.300",7.62mm);包装:管件 类别:隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出 描述:OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

ONSEMI

安森美半导体

H11F1300W

Package:6-DIP(0.400",10.16mm);包装:管件 类别:隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出 描述:OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

ONSEMI

安森美半导体

H11F13S

Package:6-SMD,鸥翼;包装:管件 类别:隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出 描述:OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    H11F1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    隔离器 > 光隔离器 - 晶体管,光电输出

  • 包装:

    管件

  • 电压 - 隔离:

    5300Vrms

  • 接通 / 关断时间(典型值):

    25µs,25µs(最大)

  • 输入类型:

    DC

  • 输出类型:

    MOSFET

  • 电压 - 输出(最大值):

    30V

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 100°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    6-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    6-DIP

  • 描述:

    OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

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更多H11F供应商 更新时间2025-12-16 17:30:00