H11F1M数据手册隔离器的光隔离器-晶体管光电输出规格书PDF
| 厂商型号 |
H11F1M |
| 参数属性 | H11F1M 封装/外壳为6-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为管件；类别为隔离器的光隔离器-晶体管光电输出；产品描述：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
| 功能描述 | 6 引脚 DIP 双向模拟 FET 输出光耦合器 |
| 封装外壳 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 10:47:00 |
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H11F1M规格书详情
描述 Description
H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。
特性 Features
• 作为一个远程可变电阻：
• ≤ 100Ω至≥ 300MΩ
• ≤ 15pF分流电容
• ≥ 100GΩ I/O隔离电阻作为模拟开关：
• 极低失调电压
• 60 Vpk-pk信号能力
• 无电荷注入或闩锁
• UL认证（文件编号E90700）
应用 Application
• 消费型设备
• 工业级电机
简介
H11F1M属于隔离器的光隔离器-晶体管光电输出。由制造生产的H11F1M光隔离器 - 晶体管，光电输出晶体管或光电输出光隔离器通常出于安全或功能性原因，使用光来跨过电绝缘层进行信息传输。与其他光隔离器类型的区别在于，它们使用简单的光电晶体管或光伏电池（太阳能电池）作为输出设备。这些器件的输出不需要外部电源即可运行，并且具有模拟特性，因此可用于在无法实现电连接的电路之间传输模拟信息。
技术参数
更多- 制造商编号
：H11F1M
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- VCC (Max) (V)
：30
- VCC (Min) (V)
：-
- VOL (Max) (V)
：-
- ICCL (Max) (mA)
：-
- II (ON) RMS (Min) (mA)
：-
- II (OFF) RMS (Max) (mA)
：0.05
- ITH+ (Max) (mA)
：-
- ITH- (Max) (mA)
：-
- Breakdown Voltage (Min) (V)
：30
- Off State Dark Current (Max) (nA)
：50
- RON (Max) (Ω)
：200
- VISO (Min) (V)
：7500
- TOPR (Min) (°C)
：-40
- TOPR (Max) (°C)
：100
- Package Type
：PDIP-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23+ |
TO-18 |
12800 |
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询价 | ||
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23+ |
NA |
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FAIRCHILD |
原装 |
12017 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DIP6 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1840+ |
DIP-6 |
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Fairchild |
23+ |
33500 |
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ONSEMI/安森美 |
24+ |
DIP6/SMD6 |
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ON/安森美 |
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NA |
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