H11F1M_隔离器光隔离器-晶体管光电输出-安森美半导体

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1+	¥48.05000

厂家型号：
H11F1M
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
隔离器光隔离器-晶体管光电输出
封装外壳：
6-DIP（0.300"，7.62mm）
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2025-8-2 16:12:00

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原厂料号：H11F1M品牌：onsemi

资料说明：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

H11F1M是隔离器 > 光隔离器 - 晶体管，光电输出。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装6-DIP（0.300"，7.62mm）的H11F1M光隔离器 - 晶体管，光电输出晶体管或光电输出光隔离器通常出于安全或功能性原因，使用光来跨过电绝缘层进行信息传输。与其他光隔离器类型的区别在于，它们使用简单的光电晶体管或光伏电池（太阳能电池）作为输出设备。这些器件的输出不需要外部电源即可运行，并且具有模拟特性，因此可用于在无法实现电连接的电路之间传输模拟信息。

芯片型号：
h11f1m
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

产品属性

类型
描述
产品编号：
H11F1M
制造商：
onsemi
类别：
隔离器 > 光隔离器 - 晶体管，光电输出
包装：
管件
电压 - 隔离：
7500Vpk
接通 / 关断时间（典型值）：
45µs，45µs（最大）
输入类型：
DC
输出类型：
MOSFET
电压 - 输出（最大值）：
30V
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
工作温度：
-40°C ~ 100°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
6-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
6-DIP
描述：
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

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H11F1M_隔离器 光隔离器-晶体管光电输出-安森美半导体

H11F1M

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