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H11D1M中文资料6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

H11D1M

功能描述

6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:12:00

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H11D1M规格书详情

描述 Description

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

特性 Features

• 高电压:
• MOC8204M, BVCEO= 400 V
• H11D1M, BVCEO= 300 V
• H11D3M, BVCEO= 200 V
• 安全和法规认证:
• UL1577,4170 VACRMS(1 分钟)
• DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

应用 Application

• 消费型设备
• 工业级电机

技术参数

  • 制造商编号

    :H11D1M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channels

    :1

  • CTR (Min) (%)

    :20

  • CTR (Max) (%)

    :-

  • CTR tested @ IF (mA)

    :10

  • VCE(sat) (Max) (V)

    :0.4

  • BVCEO (Min) (V)

    :300

  • BVCBO (Min) (V)

    :300

  • BVECO (Min) (V)

    :7

  • ton (Max) (µs)

    :5

  • toff (Max) (µs)

    :5

  • VISO (Min) (V)

    :4200

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

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