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H11D1M	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers Description The4N38M,H11D1M,H11D3MandMOC8204Mare phototransistor−typeopticallycoupledoptoisolators.Agallium arsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPN siliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplastic six−pindual−in−linepackage. Fea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H11D1M	文件：196.8 Kbytes Page：9 Pages	Property of Lite-On Only FEATURES Currenttransferratio (CTR:MIN.20atIF=10mA,VCE=10V) Highisolationvoleagebetweeninputandoutput (Viso=5,000Vrms) VeryHighcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCER=300V) Dual-in-linepackage: H11D1:1-channeltype	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
H11D1M	文件：228.9 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D1M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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H11D1M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D1M	文件：300 bytes Page：1 Pages	6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器; • 高电压：\n• MOC8204M, BVCEO= 400 V\n• H11D1M, BVCEO= 300 V\n• H11D3M, BVCEO= 200 V\n• 安全和法规认证：\n• UL1577，4170 VACRMS（1 分钟）\n• DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压\n; 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H11D1M/2M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D1MSLASH2M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channels：
1
CTR (Min) (%)：
20
CTR tested @ IF (mA)：
10
VCE(sat) (Max) (V)：
0.4
BVCEO (Min) (V)：
300
BVCBO (Min) (V)：
300
BVECO (Min) (V)：
7
ton (Max) (µs)：
5
toff (Max) (µs)：
5
VISO (Min) (V)：
4200
TOPR (Min) (°C)：
-40
TOPR (Max) (°C)：
100
Package Type：
PDIP-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H11D1M供应商更新时间2025-7-29 16:12:00

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