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H11F3M数据手册隔离器的光隔离器-晶体管光电输出规格书PDF

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厂商型号

H11F3M

参数属性

H11F3M 封装/外壳为6-DIP(0.300",7.62mm);包装为散装;类别为隔离器的光隔离器-晶体管光电输出;产品描述:OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

功能描述

6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

封装外壳

6-DIP(0.300",7.62mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:45:00

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H11F3M规格书详情

描述 Description

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

特性 Features

• 作为一个远程可变电阻:
• ≤ 100Ω至≥ 300MΩ
• ≤ 15pF分流电容
• ≥ 100GΩ I/O隔离电阻作为模拟开关:
• 极低失调电压
• 60 Vpk-pk信号能力
• 无电荷注入或闩锁
• UL认证(文件编号E90700)

应用 Application

• 消费型设备
• 工业级电机

简介

H11F3M属于隔离器的光隔离器-晶体管光电输出。由制造生产的H11F3M光隔离器 - 晶体管,光电输出晶体管或光电输出光隔离器通常出于安全或功能性原因,使用光来跨过电绝缘层进行信息传输。与其他光隔离器类型的区别在于,它们使用简单的光电晶体管或光伏电池(太阳能电池)作为输出设备。这些器件的输出不需要外部电源即可运行,并且具有模拟特性,因此可用于在无法实现电连接的电路之间传输模拟信息。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :H11F3M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • VCC (Max) (V)

    :15

  • VCC (Min) (V)

    :-

  • VOL (Max) (V)

    :-

  • ICCL (Max) (mA)

    :-

  • II (ON) RMS (Min) (mA)

    :-

  • II (OFF) RMS (Max) (mA)

    :0.05

  • ITH+ (Max) (mA)

    :-

  • ITH- (Max) (mA)

    :-

  • Breakdown Voltage (Min) (V)

    :15

  • Off State Dark Current (Max) (nA)

    :50

  • RON (Max) (Ω)

    :470

  • VISO (Min) (V)

    :7500

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

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