H11F3M数据手册隔离器的光隔离器-晶体管光电输出规格书PDF

厂商型号 |
H11F3M |
参数属性 | H11F3M 封装/外壳为6-DIP(0.300",7.62mm);包装为散装;类别为隔离器的光隔离器-晶体管光电输出;产品描述:OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
功能描述 | 6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器 |
封装外壳 | 6-DIP(0.300",7.62mm) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 15:45:00 |
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H11F3M规格书详情
描述 Description
H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。
特性 Features
• 作为一个远程可变电阻:
• ≤ 100Ω至≥ 300MΩ
• ≤ 15pF分流电容
• ≥ 100GΩ I/O隔离电阻作为模拟开关:
• 极低失调电压
• 60 Vpk-pk信号能力
• 无电荷注入或闩锁
• UL认证(文件编号E90700)
应用 Application
• 消费型设备
• 工业级电机
简介
H11F3M属于隔离器的光隔离器-晶体管光电输出。由制造生产的H11F3M光隔离器 - 晶体管,光电输出晶体管或光电输出光隔离器通常出于安全或功能性原因,使用光来跨过电绝缘层进行信息传输。与其他光隔离器类型的区别在于,它们使用简单的光电晶体管或光伏电池(太阳能电池)作为输出设备。这些器件的输出不需要外部电源即可运行,并且具有模拟特性,因此可用于在无法实现电连接的电路之间传输模拟信息。
技术参数
更多- 制造商编号
:H11F3M
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- VCC (Max) (V)
:15
- VCC (Min) (V)
:-
- VOL (Max) (V)
:-
- ICCL (Max) (mA)
:-
- II (ON) RMS (Min) (mA)
:-
- II (OFF) RMS (Max) (mA)
:0.05
- ITH+ (Max) (mA)
:-
- ITH- (Max) (mA)
:-
- Breakdown Voltage (Min) (V)
:15
- Off State Dark Current (Max) (nA)
:50
- RON (Max) (Ω)
:470
- VISO (Min) (V)
:7500
- TOPR (Min) (°C)
:-40
- TOPR (Max) (°C)
:100
- Package Type
:PDIP-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
原装 |
12034 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5250 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DIP |
65248 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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DIP6 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DIPSOP |
10300 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DIP6 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
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24+ |
DIP-6 |
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FAIRCILD |
22+ |
DIP-6 |
8000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
DIP-6 |
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询价 |