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GTVA126001FC-V1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz	MACOM	MACOM
GTVA126001FC-V1-R0	文件：443.12 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz Description The GTVA126001EC and GTVA126001FC are 600-watt GaN on SiC high electron mobility transistors (HEMT) for use in the DC - 1.4 GHz frequecy band. They feature input matching, high efficiency, and thermallyenhanced packages. Features • GaN on SiC HEMT technology • Input matched • Ty 文件：443.12 Kbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
GTVA126001FC-V1-R2	文件：443.12 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz Description The GTVA126001EC and GTVA126001FC are 600-watt GaN on SiC high electron mobility transistors (HEMT) for use in the DC - 1.4 GHz frequecy band. They feature input matching, high efficiency, and thermallyenhanced packages. Features • GaN on SiC HEMT technology • Input matched • Ty 文件：443.12 Kbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED

技术参数

Peak Output Power Range：
500 W\>> 500 W
Frequency Range：
General Purpose
Technology：
GaN on SiC
Frequency (Min)：
1.2 GHz
Frequency (Max)：
1.4 GHz
Peak Output Power：
600 W
Gain：
20 dB
Efficiency：
63%
Operating Voltage：
50 V
Form：
Packaged Discrete Transistor
Package Type：
Earless

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更多GTVA126001FC-V1供应商更新时间2025-11-4 14:40:00

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