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GTVA126001FC-V1-R2	文件：443.12 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz Description TheGTVA126001ECandGTVA126001FCare600-wattGaNonSiChigh electronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecy band.Theyfeatureinputmatching,highefficiency,andthermallyenhancedpackages. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •Ty	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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GTVA126001FC-V1-R2

文件：443.12 Kbytes

Page：8 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz

Description TheGTVA126001ECandGTVA126001FCare600-wattGaNonSiChigh electronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecy band.Theyfeatureinputmatching,highefficiency,andthermallyenhancedpackages. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •Ty

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