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GTVA126001FC-V1中文资料Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz数据手册MACOM规格书

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厂商型号

GTVA126001FC-V1

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz

制造商

MACOM Tyco Electronics

数据手册

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更新时间

2025-11-1 17:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GTVA126001FC-V1

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Peak Output Power Range

    :500 W\>> 500 W

  • Frequency Range

    :General Purpose

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :1.2 GHz

  • Frequency (Max)

    :1.4 GHz

  • Peak Output Power

    :600 W

  • Gain

    :20 dB

  • Efficiency

    :63%

  • Operating Voltage

    :50 V

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Type

    :Earless

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
23+
SMD
880000
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22+
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23+
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