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GTVA123501FA-V1中文资料High Power RF GaN on SiC HEMT 350 W, 50 V, 1200 - 1400 MHz数据手册MACOM规格书
| 厂商型号 |
GTVA123501FA-V1 |
| 参数属性 | GTVA123501FA-V1 封装/外壳为H-37265J-2；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET |
| 功能描述 | High Power RF GaN on SiC HEMT 350 W, 50 V, 1200 - 1400 MHz |
| 封装外壳 | H-37265J-2 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 17:00:00 |
| 人工找货 | GTVA123501FA-V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GTVA123501FA-V1规格书详情
描述 Description
Broadband internal input matching; Typical Pulsed CW performance; 1200 – 1400 MHz; 50V; Output power 350 W; Drain Efficiency 70 %; Gain 18 dB; Pulse width 300 μs; Duty cycle 10%; Pb-free and RoHS compliant
特性 Features
• Broadband internal input matching; Typical Pulsed CW performance; 1200 – 1400 MHz; 50V; Output power 350 W; Drain Efficiency 70 %; Gain 18 dB; Pulse width 300 μs; Duty cycle 10%; Pb-free and RoHS compliant
应用 Application
• L-Band Radar Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：GTVA123501FA-V1
- 生产厂家
：MACOM
- Application
：L-Band / S-Band / X-Band / C-Band / Ku-Band
- Power Gain
：18 dB
- Operating Voltage
：50 V
- Frequency
：1.2 - 1.4 GHz
- Package Type
：Earless
- Efficiency
：71%
- Technology
：GaN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
SMD |
880000 |
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