GT50JR21数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
GT50JR21 |
| 参数属性 | GT50JR21 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS |
| 功能描述 | IGBT for soft switching applications |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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GT50JR21规格书详情
描述 Description
Feature：Fast switching / Low saturation voltage
Number of Circuits：2
Built-in Diodes：Yes
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Collector Current IC 50 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 制造商编号
：GT50JR21
- 生产厂家
：Toshiba
- VCES (Max)(V)
：600
- IC (Max)(A)
：50
- Built-in Diodes
：Yes
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-3P(N)
- Comments
：Fast switching/Low saturation voltage
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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