GT50J325数据手册Toshiba中文资料规格书
GT50J325规格书详情
描述 Description
Feature：Fast switching
Number of Circuits：2
Built-in Diodes：Yes
Comments：Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 50 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 型号：
GT50J325
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)
- 功能描述：
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3PIN TO-3P(LH) - Trays
- 功能描述：
IGBT 600V TO-3P(LH)
- 功能描述：
IGBT, 600V, TO-3P(LH)
- 功能描述：
IGBT, 600V, TO-3P(LH); Transistor
- Type：
IGBT; DC Collector
- Current：
50A; Collector Emitter Voltage
- Vces：
2.45V; Power Dissipation
- Pd：
240W; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo：
600V; Operating Temperature
- Min：
-55C; No. of
- Pins：
3 ;RoHS
- Compliant：
Yes
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