GT50J325中文资料Discrete IGBT数据手册Toshiba规格书
GT50J325规格书详情
描述 Description
Feature:Fast switching
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
Comments:Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本
特性 Features
Collector Current IC 50 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 型号:
GT50J325
- 制造商:
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)
- 功能描述:
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3PIN TO-3P(LH) - Trays
- 功能描述:
IGBT 600V TO-3P(LH)
- 功能描述:
IGBT, 600V, TO-3P(LH)
- 功能描述:
IGBT, 600V, TO-3P(LH); Transistor
- Type:
IGBT; DC Collector
- Current:
50A; Collector Emitter Voltage
- Vces:
2.45V; Power Dissipation
- Pd:
240W; Collector Emitter Voltage
- V(br)ceo:
600V; Operating Temperature
- Min:
-55C; No. of
- Pins:
3 ;RoHS
- Compliant:
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-3PL |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO-3PL |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO-3PL |
8000 |
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TOSHIBA |
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询价 | |||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
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询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-3P |
60000 |
询价 | |||
TOSHIBA |
24+ |
TO-3PL |
65200 |
一级代理/放心采购 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-247 |
3000 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-264 |
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