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GT50G321数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

GT50G321

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:04:00

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GT50G321规格书详情

描述 Description

The 4th Generation
Current Resonance Inverter Switching Applications
• FRD included between emitter and collector
• Enhancement-mode
• High speed: tf = 0.30 µs (typ.) (IC = 60 A)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)

技术参数

  • 型号:

    GT50G321

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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