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GT40Q321数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

GT40Q321

功能描述

Silicon N Channel IEGT Injection Enhanced Gate Transistor

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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GT40Q321规格书详情

描述 Description

Voltage Resonance Inverter Switching Application
• Fifth-generation IGBT
• Enhancement mode type
• High speed : tf = 0.41 μs (typ.) (IC = 40A)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.8 V (typ.) (IC = 40A)
• FRD included between emitter and collector

技术参数

  • 型号:

    GT40Q321

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 42A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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