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GT40Q321中文资料Silicon N Channel IEGT Injection Enhanced Gate Transistor数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT40Q321

功能描述

Silicon N Channel IEGT Injection Enhanced Gate Transistor

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:31:00

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GT40Q321规格书详情

描述 Description

Voltage Resonance Inverter Switching Application
• Fifth-generation IGBT
• Enhancement mode type
• High speed : tf = 0.41 μs (typ.) (IC = 40A)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.8 V (typ.) (IC = 40A)
• FRD included between emitter and collector

技术参数

  • 型号:

    GT40Q321

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 42A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
国产替代
2012
TO3PTO247
100000
全新原装进口自己库存优势
询价
TOSHIBA/东芝
23+
TO-3P(N)
113800
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
东芝TOSHIBA
23+24
TO-3P
9860
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税
询价
Toshiba
2025+
TO-3PN
12420
询价
TOSHIBA
24+/25+
760
原装正品现货库存价优
询价
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
tos
2023+
TO-3P
5800
进口原装,现货热卖
询价
TOSHIBA/东芝
24+
TO-3P
60000
询价
TOSHIBA
23+
TO-3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
TOSHIBA
2015+
TO3P/TO247
19898
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