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GT40QR21数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

GT40QR21

参数属性

GT40QR21 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

功能描述

IGBT for soft switching applications

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:31:00

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GT40QR21规格书详情

描述 Description

Feature:Fast switching / Low saturation voltage
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国 / 日本

特性 Features

Collector Current IC 40 A
Breakdown Voltage VCES 1200 V

技术参数

  • 制造商编号

    :GT40QR21

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • VCES (Max)(V)

    :1200

  • IC (Max)(A)

    :40

  • Built-in Diodes

    :Yes

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-3P(N)

  • Comments

    :Fast switching/Low saturation voltage

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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