GT50J121中文资料Discrete IGBT数据手册Toshiba规格书
GT50J121规格书详情
描述 Description
Feature:Fast switching
Number of Circuits:1
Built-in Diodes:No
Comments:Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本
特性 Features
Collector Current IC 50 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 产品编号:
GT50J121(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.45V @ 15V,50A
- 开关能量:
1.3mJ(开),1.34mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
90ns/300ns
- 测试条件:
300V,50A,13 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3PL
- 供应商器件封装:
TO-3P(LH)
- 描述:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
21+ |
TO-264 |
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TO-3PL |
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