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GT50J121中文资料Discrete IGBT数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT50J121

参数属性

GT50J121 封装/外壳为TO-3PL;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

功能描述

Discrete IGBT

封装外壳

TO-3PL

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:02:00

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GT50J121规格书详情

描述 Description

Feature:Fast switching
Number of Circuits:1
Built-in Diodes:No
Comments:Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 50 A
Breakdown Voltage VCES 600 V

技术参数

  • 产品编号:

    GT50J121(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.3mJ(开),1.34mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    90ns/300ns

  • 测试条件:

    300V,50A,13 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3PL

  • 供应商器件封装:

    TO-3P(LH)

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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