| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
5年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3P(LH) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
7年
留言
|
TOSHIBATO-264 |
399 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
16年
留言
|
TOSHIBA原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
|
5年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3P(LH) |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
11年
留言
|
TOSHIBATO-264 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
|||
|
6年
留言
|
TOSHIBA/东芝23+ |
6000 |
TO-3PL |
原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万 |
|||
|
12年
留言
|
TOSHIBATO-264 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
|
3年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO3PL |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
|||
|
11年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PL |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
14年
留言
|
XTWQFN |
30735 |
24+ |
绝对原厂支持只做自己现货优势 |
|||
|
6年
留言
|
TOSHIBATO-264 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
13年
留言
|
TOSHIBATO-264 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
12年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PL |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
|
13年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PL |
1709 |
21+ |
||||
|
12年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3P(LH) |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
15年
留言
|
TOSHIBATO-3PL |
36822 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
5年
留言
|
TOSHIBA/东芝TO-3PL |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
11年
留言
|
TOSHIBATO-3PL |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
3年
留言
|
TOSHIBATO-264 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
|||
|
6年
留言
|
TOSHIBA(东芝)封装 |
500000 |
25+ |
|
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
GT50J121采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
GT50J121图片
GT50J121中文资料Alldatasheet PDF
更多GT50J121制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT50J121(Q)功能描述:IGBT 晶体管 600V/50A DIS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
GT50J121_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

































