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GT50J123数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

GT50J123

功能描述

Discrete IGBT

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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GT50J123规格书详情

描述 Description

Feature:Fast switching
Number of Circuits:1
Built-in Diodes:No
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Collector Current IC 59 A
Breakdown Voltage VCES 600 V

技术参数

  • 制造商编号

    :GT50J123

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • VCES (Max)(V)

    :600

  • IC (Max)(A)

    :59

  • Built-in Diodes

    :No

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-3P(N)

  • Comments

    :Fast switching

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