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GT50J342数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

GT50J342

功能描述

Discrete IGBT

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:01:00

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GT50J342规格书详情

描述 Description

Feature:Low saturation voltage
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Collector Current IC 55 A
Breakdown Voltage VCES 600 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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