GT50J341数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
GT50J341规格书详情
描述 Description
Feature：Fast switching / Low saturation voltage
Number of Circuits：2
Built-in Diodes：Yes
Comments：Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 50 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 制造商编号
：GT50J341
- 生产厂家
：Toshiba
- VCES (Max)(V)
：600
- IC (Max)(A)
：50
- Built-in Diodes
：Yes
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-3P(N)
- Comments
：Fast switching/Low saturation voltage
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
30000 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
28000 |
原装正品 |
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TO-3P(N) |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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25000 |
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