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GT1K2P15M	文件：948.39 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT1K2P15；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT1K2P15M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：948.39 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15M	文件：300 bytes Page：1 Pages	-150V P Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15S	文件：980.08 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT1K2P15S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：980.08 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15K	文件：852.06 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT1K2P15K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：852.06 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15KA	文件：1.00011 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT1K2P15KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch lDC/DC converters 文件：1.00011 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-263
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-150
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-27
Pd(W)：
138
Vgs(th)max(V)：
-3
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
95
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
103
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
120
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
130
Qg(nC)：
86
Qgs(nC)：
9
Qgd(nC)：
19
Ciss(pF)：
3186
Crss(pF)：
8
Technology：
SGT

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