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GT1K2P15M中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

GT1K2P15M
厂商型号

GT1K2P15M

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

GT1K2P15

封装外壳

TO-263

文件大小

948.39 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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GT1K2P15M规格书详情

描述 Description

The GT1K2P15M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GT
24+
NA/
51420
原装现货,当天可交货,原型号开票
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22+
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100000
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