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GT1K2P15K	文件：852.06 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT1K2P15；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT1K2P15Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15KA	文件：1.00011 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT1K2P15；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT1K2P15KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15M	文件：948.39 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT1K2P15Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT1K2P15S	文件：980.08 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT1K2P15Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-150V
Id at 25℃(max)：
-27A
PD(max)：
138W
Vgs(th)typ(V)：
-2.0V
RDS(on)(typ)(@10V)：
90mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
100mΩ
Qg(nC)：
86
Ciss：
3275
Crss：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GT1K2P15K		24+	N/A	58000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GT1MMA_R1_00001	Panjit International Inc.	25+	SMA(DO-214AC)	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GT1N70-TCG1	GT	23+	TO-92	48170	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	GT1N70-TCG1	GT	22+	TO-92	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多GT1K2P15K供应商更新时间2025-8-1 9:07:00

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