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IRF2907ZLPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907ZPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF2907ZS	文件：244.43 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRF2907ZS	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907ZSPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907ZSPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF2907ZSTRLPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFC2907B	文件：18.66 Kbytes Page：1 Pages	HEXFETPowerMOSFETDieinWaferForm ●100TestedatProbe ●AvailableinTapeandReel,ChipPack,SawnonFilmandGelPack** ●UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP2907	文件：18.66 Kbytes Page：1 Pages	HEXFETPowerMOSFETDieinWaferForm ●100TestedatProbe ●AvailableinTapeandReel,ChipPack,SawnonFilmandGelPack** ●UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP2907	文件：115.6 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=4.5mohm,Id=209A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingte	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP2907	文件：826.47 Kbytes Page：9 Pages	IntegratedStarterAlternator	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP2907	文件：334.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP2907PBF	文件：224.07 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP2907PBF	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=4.5m廓,ID=209A) Description ThisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiv	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP2907Z	文件：311.77 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=90A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunction	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP2907Z	文件：335.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
GPN2907A
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GPN2907A供应商更新时间2024-6-12 10:21:00

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