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IRFF130	文件：325.05 Kbytes Page：7 Pages	8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFF130	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
IRFF130	文件：268.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF130	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IRFN130SMD	文件：21.34 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFNJ130N	文件：41.79 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP130	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFR130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR130A	文件：373.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR130ATM	文件：979.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFR130ATM	文件：263.56 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFRU130A	文件：261.31 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS130	文件：265.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU130A	文件：397.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFY130	文件：18.73 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFY130C	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFY130C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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详细参数

型号：
GPC130BG
功能描述：
线性和开关式电源 130W +5/+12/-5/-12V 675-GPC130C-G
RoHS：
否
制造商：
TDK-Lambda
产品：
Switching Supplies
开放式框架/封闭式：
Enclosed
输出功率额定值：
800 W
输入电压：
85 VAC to 265 VAC
输出端数量：
1 输出电压（通道
1）：
20 V 输出电流（通道
1）：
40 A
商用/医用：
输出电压（通道
2）：
输出电流（通道
安装风格：
Rack

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海市鑫鸿达电子	GPC130BG	SL Power ( Ault / Condor )	2022+		41	全新原装货期两周	询价
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