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IRFF130中文资料PDF规格书

厂商型号	IRFF130
功能描述	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
文件大小	161.62 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	GE Solid State
企业简称	GESS
中文名称	GE Solid State
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-16 9:14:00

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

7.0A and 8.0A, 60V-100V rDS(on) = 0.18 Ω and 0.25 Ω

型号：
IRFF130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 8A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 8A TO-
功能描述：
MOSFET N TO-39
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
Single N-Channel 100 V 25 W 28.5 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-39
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 8A TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
8A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
IR