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IRFF112规格书详情
N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors
特性 Features
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Majority carrier device
产品属性
- 型号：
IRFF112
- 制造商：
GESS
- 制造商全称：
GESS
- 功能描述：
Power MOS Field-Effect Transistors
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS |
18+ |
CAN3 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
22+ |
CN3 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
HARRIS/哈里斯 |
2402+ |
TO-39 |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 | ||
INTERSIL |
24+ |
TO-39 |
45 |
询价 | |||
INTERSIL |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
NS |
9236+ |
CAN3 |
602 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+ |
CAN3 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
INTERSIL |
专业铁帽 |
CAN3 |
5500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
HARRIS |
24+ |
CAN3 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 |
