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STGP10NC60KD	文件：1.6576 Mbytes Page：30 Pages	Marking：GP10NC60KD；Package：TO-220；10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features Lowe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STGP10NC60KD

文件：1.6576 Mbytes

Page：30 Pages

Marking：GP10NC60KD；Package：TO-220；10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features Lowe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GP10NC60KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-channel 600V - 10A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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