| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
200VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
N-ChannelMOSFET | HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件 | Huashan | ||
N-ChannelMOSFET | HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件 | Huashan | ||
200VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
200VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
200VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
200VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
200VN-ChannelMOSFET | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
N-ChannelMOSFETs | HSMC 华昕 | HSMC | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
CrystalClockOscillators | NEL NEL Frequency Controls, Inc. | NEL | ||
5mmx7mmCeramicPackageSMDVCXO,LVCMOS/LVPECL/LVDS | ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司 | ILSI | ||
9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | WXDH | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
NewGeneration4U15-SlotRackmountChassis | ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司 | ADVANTECH | ||
PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A) | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
HEXFETPOWERMOSFET HEXFET®PowerMOSFET | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF630areN-channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors. Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandlevelofenergyinbreakdownavalanchemadeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawi | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 | NELLSEMI | ||
FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ● | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI |
详细参数
- 型号：
GDA630MA
- 制造商：
Cooper Bussmann
- 功能描述：
FUSE CARTRIDGE 630mA 5X20MM FAST ACT
- 功能描述：
FUSE, CARTRIDGE, 630mA, 5X20MM, FAST ACT
- 功能描述：
FUSE, CARTRIDGE, 630mA, 5X20MM, FAST ACT; Voltage Rating
- VAC：
250V; Fuse
- Current：
630mA; Breaking
- Capacity：
1.5kA @ 250VAC; Fuse Size
- Metric：
5mm x 20mm; Blow
- Characteristic：
Fast Acting;
- Series：
GDA; Current
- Rating：
630mA;
- Diameter：
5mm ;RoHS
- Compliant：
No
- Metric：
5mm x 20mm; Fuse Size
- Imperial：
(Not Applicable); Blow
- Series：
GDA ;RoHS
- Imperial：
-; Blow
- Series：
GDA;
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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