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IRC630	文件：229.76 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) 文件：229.76 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRC630PBF	文件：1.17749 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET HEXFET® Power MOSFET 文件：1.17749 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRC630PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5	Vishay 威世	Vishay
IRC630PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRC630
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC630	IR	17+	TO-2205-PIN(HEXSENSE	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRC630	IR	06+	原厂原装	351	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRC630	IR	24+	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	IRC630	IR	23+	TO-220-5	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	IRC630	IR	01+02+	TO-220-5	765	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多IRC630供应商更新时间2025-12-11 14:00:00

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