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G40H603	文件：1.70121 Mbytes Page：14 Pages	型号：IGW40N60H3；Package：PG-TO247-3；High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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G40H603

文件：1.70121 Mbytes

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型号：IGW40N60H3；Package：PG-TO247-3；High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
G40H603
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 40A 306W
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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