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G4E	文件：717.45 Kbytes Page：17 Pages	型号：AP2821KTR-G1；Package：SOT-23-5；High-side Power Distribution Switch with Enable Features •LowMOSFETonResistance:120mΩ@VIN=5.0V •ComplianttoUSBSpecifications •OperatingVoltageRange:2.7Vto5.5V •LowSupplyCurrent:35μA(Typ.) •LowShutdownCurrent:	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
G4E	文件：239.78 Kbytes Page：12 Pages	型号：UPG2141T5B-E1；Package：LGA；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Operationfrequency:fopt=1429to1453MHz(1441MHzTYP.) •Supplyvoltage:VDD1=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :VDD2=3.0to3.5V(3.2VTYP.) •Circuitcurrent:IDD=28mATYP.@VDD1=2.8V,VDD2=3.2V,VAGC=2.0V,Pin=−17dBm •PowerGain:GP=28dBTYP.@VD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：717.45 Kbytes

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型号：AP2821KTR-G1；Package：SOT-23-5；High-side Power Distribution Switch with Enable

Features •LowMOSFETonResistance:120mΩ@VIN=5.0V •ComplianttoUSBSpecifications •OperatingVoltageRange:2.7Vto5.5V •LowSupplyCurrent:35μA(Typ.) •LowShutdownCurrent:

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

G4E

文件：239.78 Kbytes

Page：12 Pages

型号：UPG2141T5B-E1；Package：LGA；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Operationfrequency:fopt=1429to1453MHz(1441MHzTYP.) •Supplyvoltage:VDD1=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :VDD2=3.0to3.5V(3.2VTYP.) •Circuitcurrent:IDD=28mATYP.@VDD1=2.8V,VDD2=3.2V,VAGC=2.0V,Pin=−17dBm •PowerGain:GP=28dBTYP.@VD

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多G4E供应商更新时间2025-7-31 15:01:00

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