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G45P02D3	文件：994.22 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G45P02；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G45P02D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：994.22 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多G45P02供应商更新时间2025-9-15 11:06:00

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