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STGW40H120DF2	文件：821.36 Kbytes Page：17 Pages	丝印：G40H120DF2；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequenc 文件：821.36 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更多G40H120DF2供应商更新时间2025-9-22 23:01:00