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G28N02T	文件：795.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G28N02；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G28N02T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：795.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多G28N02供应商更新时间2025-11-4 11:06:00