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G28N02T	文件：795.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G28N02；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G28N02T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：795.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G28N02T	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2996F1U	文件：0 bytes Page：0 Pages		0 上传：深圳市科雨电子有限公司	0
G2R-1-24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司	OMRON
G2R-1-DC24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司销售二部	OMRON

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更多G28N02T供应商更新时间2026-1-23 11:06:00