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G28N02T中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

G28N02T
厂商型号

G28N02T

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

G28N02

封装外壳

TO-220

文件大小

795.24 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企业简称

GOFORD谷峰半导体

中文名称

谷峰半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 13:00:00

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G28N02T规格书详情

描述 Description

The G28N02T uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

⚫ Power switch

⚫ DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GMT
23+
QFN
5108
原装现货假一赔十
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2511
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23+
QFN
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30000
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