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AZ955	文件：41.36 Kbytes Page：2 Pages	SUBMINIATUREPCBOARDRELAY [Zettler] FEATURES •Subminiaturesizeforhighdensitypackaging •DILpitchterminals •Epoxysealedforautomaticwavesoldering •Highsensitivity:150mWnominalwith84mWpickup •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •MeetsFCCPart68.3041000Vdielectric •ULfileE43203	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AZ955	文件：80.68 Kbytes Page：2 Pages	SUBMINIATUREPCBOARDRELAY FEATURES •Subminiaturesizeforhighdensitypackaging •DILpitchterminals •Epoxysealedforautomaticwavesoldering •Highsensitivity:150mWnominalwith84mWpickup •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •MeetsFCCPart68.3041000Vdielectric •UL/CURfileE43203	AZETTLER American Zettler, Inc.	AZETTLER
AZ955	文件：89.86 Kbytes Page：2 Pages	SUBMINIATUREPCBOARDRELAY FEATURES •Subminiaturesizeforhighdensitypackaging •DILpitchterminals •Epoxysealedforautomaticwavesoldering •Highsensitivity:150mWnominalwith84mWpickup •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •MeetsFCCPart68.3041000Vdielectric •ULfileE43203;CSAfile	ZETTLERZettler Group 赛特勒赛特勒集团	ZETTLER
BD955	文件：134.38 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD955	文件：113.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=120V(Min) •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=500mA •ComplementtoTypeBD956 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD955	文件：88.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD949,951,953,955NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD950,952,954,956PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BD955F	文件：192.49 Kbytes Page：2 Pages	ComplementtoTypeBD950F/952F/954F/956F	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD955F	文件：132.83 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD955F	文件：132.83 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD955F	文件：132.83 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BDP955	文件：45.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFPowerTransistor NPNSiliconAFPowerTransistor •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BDP952...BDP956(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BDP955	文件：41.1 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFPowerTransistors(ForAFdriversandoutputstagesHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFPowerTransistors •ForAFdriversandoutputstages •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BDP952...BDP956(PNP)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
CAB955	文件：1.74924 Mbytes Page：5 Pages	TaoglasCableAssemblyNTypeJackwithO-Ringto100mm(3.93)RG-316SMA(M)STPLUG	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CZT955	文件：979.31 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSILICONHIGHCURRENTPNPTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT955isasiliconhighcurrentPNPtransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DZT955	文件：196.42 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCE(SAT)PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
EDSTLZ955	文件：704.02 Kbytes Page：1 Pages	insertrequiredno.ofpoles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FZT955	文件：615.15 Kbytes Page：7 Pages	140VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT955	文件：235.67 Kbytes Page：5 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTORS Features •BVCEO>-140V •IC=-4AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT955	文件：235.67 Kbytes Page：5 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARHIGHCURRENT Features •BVCEO>-140V •IC=-4AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT955	文件：1.64027 Mbytes Page：3 Pages	4Ampscontinuouscurrent(10Ampspeakcurrent) Features ■4Ampscontinuouscurrent(10Ampspeakcurrent) ■Verylowsaturationvoltages. ■Excellentgaincharacteristicsspecifiedupto3Amps. ■Ptot=3watts.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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