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GAL16V8D-25QJI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25QJI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25QJI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL16V8D-25QJI	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25QJI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：20-LCC（J 形引线）类别：集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）描述：IC CPLD 8MC 25NS 20PLCC	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25LJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL16V8D-25LJ	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25LJI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL16V8D-25LJI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25LJI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
GAL16V8D-25LJI	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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产品属性

产品编号：
GAL16V8D-25QJI
制造商：
Lattice Semiconductor Corporation
类别：
集成电路（IC） > CPLD（复杂可编程逻辑器件）
系列：
GAL®16V8
包装：
管件
可编程类型：
EE PLD
供电电压 - 内部：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-LCC（J 形引线）
供应商器件封装：
20-PLCC（9x9）
描述：
IC CPLD 8MC 25NS 20PLCC

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