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GAL16V8D-10LJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description The GAL16V8, at 3.5 ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest speed performance available in the PLD market. High speed erase times ( Features •HIGH PERFORMANCE 文件：316 Kbytes 页数：22 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJ	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGH PERFORMANCE E2CMOS®TECHNOLOGY —3.5 ns Maximum Propagation Delay —Fmax = 250 MHz —3.0 ns Maximum from Clock Input to Data Output —UltraMOS® Advanced CMOS Technology •50 to 75 REDUCTION IN POWER FROM BIPOLAR —75mA Typ Icc on Low Power Device —45mA Typ Icc on 文件：767.57 Kbytes 页数：26 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJ	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD 文件：340.72 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJ	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic? 文件：339.82 Kbytes 页数：23 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJ	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic? 文件：654.14 Kbytes 页数：24 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJ	文件：395.51 Kbytes Page：22 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic? 文件：395.51 Kbytes 页数：22 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description The GAL16V8, at 3.5 ns maximum propagation delay time, combines a high performance CMOS process with Electrically Erasable (E2) floating gate technology to provide the highest speed performance available in the PLD market. High speed erase times ( Features •HIGH PERFORMANCE 文件：316 Kbytes 页数：22 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGH PERFORMANCE E2CMOS®TECHNOLOGY —3.5 ns Maximum Propagation Delay —Fmax = 250 MHz —3.0 ns Maximum from Clock Input to Data Output —UltraMOS® Advanced CMOS Technology •50 to 75 REDUCTION IN POWER FROM BIPOLAR —75mA Typ Icc on Low Power Device —45mA Typ Icc on 文件：767.57 Kbytes 页数：26 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJN	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGH PERFORMANCE E2CMOS®TECHNOLOGY —3.5 ns Maximum Propagation Delay —Fmax = 250 MHz —3.0 ns Maximum from Clock Input to Data Output —UltraMOS® Advanced CMOS Technology •50 to 75 REDUCTION IN POWER FROM BIPOLAR —75mA Typ Icc on Low Power Device —45mA Typ Icc on 文件：767.57 Kbytes 页数：26 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice
GAL16V8D-10LJNI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features •HIGH PERFORMANCE E2CMOS®TECHNOLOGY —3.5 ns Maximum Propagation Delay —Fmax = 250 MHz —3.0 ns Maximum from Clock Input to Data Output —UltraMOS® Advanced CMOS Technology •50 to 75 REDUCTION IN POWER FROM BIPOLAR —75mA Typ Icc on Low Power Device —45mA Typ Icc on 文件：767.57 Kbytes 页数：26 Pages	Lattice 莱迪思	Lattice

产品属性

产品编号：
GAL16V8D-10LJ
制造商：
Lattice Semiconductor Corporation
类别：
集成电路（IC） > CPLD（复杂可编程逻辑器件）
系列：
GAL®16V8
包装：
管件
可编程类型：
EE PLD
供电电压 - 内部：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 75°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-LCC（J 形引线）
供应商器件封装：
20-PLCC（9x9）
描述：
IC CPLD 8MC 10NS 20PLCC

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